Intel将193nm沉浸式光刻技术延用至11nm制程

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  在本月21日举办的LithoVision2010大会上，Intel公司公布了其未来几年的光刻技术发展计划，按这份惊人的计划显示，Intel计划将 193nm波长沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点，这表明他们再次后延了其极紫外光刻(EUV)技术的启用日期。

资料图：Intel实验室中的EUV曝光设备

  根据会上Intel展示的光刻技术发展路线图显示，目前Intel 45nm制程工艺中使用的仍是193nm干式光刻技术，而32nm制程工艺则使用的是193nm沉浸式光刻技术，沉浸式光刻工具方面，Intel从去年开始便独家使用尼康公司的193nm沉浸式光刻机制造32nm制程产品。(此前曾有传言称台积电最近也购买了尼康公司的193nm沉浸式光刻设备,不过双方后来矢口否认了这一传言.)

  过去Intel曾计划在22nm制程节点转向EUV技术，并计划明年开始采用这种技术。不过据Intel负责高级光刻技术的高管Yan Borodovsky表示，Intel目前还没有做好在22/15nm制程节点引入EUV技术的准备。他并表示Intel将在22nm制程节点继续使用193nm沉浸式光刻技术。

  Intel还在会上表示他们有能力将193nm沉浸式光刻技术延用至15nm制程节点，也就是说这项技术的寿命可望延续到2013年左右，Borodovsky并认为，按照目前的情况看来，193nm沉浸式光刻+pitch division的工艺组合才是实现15nm制程产品量产的“唯一选择”。

  不过他表示,在15nm节点制程处，Intel将“首先采用EUV技术进行试产，假如届时无掩模技术已经成熟，那么我们还会采用这种技术进行试产。”

  在接下来的11nm制程节点中，Intel仍有计划想在五重掩模技术(five mask)的配合下继续延用193nm沉浸式光刻技术，Borodovsky称：“193nm沉浸式光刻技术应可在五重掩模技术的配合下满足11nm制程的要求。”

  据Intel表示，11nm制程节点上该公司的光刻技术将采用多种光刻工艺互补混搭的策略，将193nm沉浸式光刻技术与EUV,无掩模光刻(maskless)等技术混合在一起来满足11nm制程的需求。

  目前还不清楚Intel最终会采用EUV或无掩模光刻技术中的哪一种，Intel表示留给EUV技术最终成熟的时间点是在2011/2012年前;而留给无掩模技术的时间点则是在2012年以前。而其EUV领域的主要竞争对手三星公司将EUV技术投入实用的时间点也同样定在了2012年前。