公众号英特尔5nm工艺泄露：将率先使用GAA晶体管
2020-03-11 17:19:40
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【天极网DIY硬件频道】随着制程工艺的升级，晶体管的制作也面临着困难。英特尔最早在22nm节点首发FinFET工艺，当时叫做3D晶体管，就是将原本平面的晶体管变成立体的FinFET晶体管，提高了性能，降低了功耗。FinFET晶体管随后也成为全球主要晶圆厂的选择，一直用到现在的7nm及5nm工艺。
传统FD-SOI工艺和FinFET工艺
英特尔之前已经提到5nm工艺正在研发中，但没有公布详情。最新爆料称他们的5nm工艺会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。英特尔已经宣布在2021年推出7nm工艺，首发的产品是用于数据中心Ponte Vecchio加速卡。
7nm之后的5nm工艺更加重要，因为英特尔会在这个节点放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。GAA晶体管也有多种技术路线，之前三星提到他们的GAA工艺能够提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面积，不过这是和三星7nm工艺进行对比的，而且是初期数据。
三种晶体管对比
考虑到英特尔在工艺技术上的实力，他们的GAA工艺性能提升应该会更明显。如果能在5nm节点跟进GAA工艺，英特尔官方承诺“5nm工艺重新夺回领导地位”就不难理解了，因为GAA工艺上他们也是比较早跟进的。
至于5nm工艺的问世时间，目前还没明确的时间表，但Intel之前提到7nm之后工艺周期会回归以往的2年升级的节奏，那就是说最快2023年就能见到Intel的5nm工艺。
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