英特尔计划5年内量产纳米线与纳米带晶体管

  【天极网DIY硬件频道】虽然英特尔最近几年的制造工艺步伐相对缓慢，但英特尔半导体前沿技术研究和储备仍然位居行业前列。在近日举行的国际超大规模集成电路会议上，Intel首席技术官、Intel实验室总监Mike Mayberry畅谈未来的晶体管结构研究，包括GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构，乃至最终摆脱CMOS。 

  根据早先公布的模糊路线图，英特尔未来将每两年进行一次工艺节点重大升级，每一代工艺都会有+、++两次优化增强，2021年的7nm工艺将在高性能计算GPU Ponte Vecchio上首发，预计2023年进入5nm、并推出7nm++工艺，2025年转入3nm并推出5nm++。 

  在会议问答阶段，有记者问起Mike Mayberry关于纳米线、纳米带(nanoribbon)结构的晶体管何时能够投入大规模量产，Mike Mayberry表示虽然没有明确的路线图，但粗略估计未来5年内有戏。按照时间表，乐观激进的话在3nm工艺上应用全新的纳米结构晶体管，慢一点的话5年后依然是5nm，那么新结构晶体管也将继续推迟。 

  ike Mayberry还展望了更遥远的未来，2030年前有望进入神经拟态(neuromorphic)的计算时代，量子计算可能要2030-2035年才能真正投入商用。 

  FinFET立体晶体管是Intel在22nm节点、台积电在16nm节点和三星14nm节点上引入的晶体管结构。随着晶体管进入5nm节点，FinFET工艺已经难以满足使用需求，被三星、台积电寄予厚望的就是GAA环绕栅极结构，通过重新设计晶体管底层结构的方式，让晶体管进一步微缩，而且GAA结构不仅能做得很小(nanowire纳米线)，也可以做得很宽(nanosheet纳米片)。 

  最早公开GAA结构的制造商是三星，在2018年就率先公布，将在3nm工艺节点上应用GAA结构。台积电、Intel目前态度暧昧，台积电表现在第一代3nm还可能继续使用FinFET结构，第二代3nm才会导入GAA晶体管。