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三星揭晓11nm新工艺 并确认7nm工艺采用EUV

Yesky天极新闻 2017. 09. 30 作者:August 责编:熊嫒
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  【天极网DIY硬件频道】随着高通骁龙835、联发科Helio X3等10nm芯片的广泛应用,三星、台积电等半导体企业纷纷发力新一代7nm工艺芯片。刚刚,三星确认2018年下半年试产的7nm工艺将上EUV极紫外光刻(全面融合),同时还公布了全新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus)。

三星揭晓11nm新工艺 并确认7nm工艺采用EUV

  三星表示,11LPP工艺是14nm LPP、10nm BEOL后端工艺的融合。11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空白,号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺性能提升15%、功耗降低10%,并提高晶体管密度。

  三星于2016年10月投产10LPE(10nm Low Power Early),并已准备好即将投产10LPP(10nm Low Power Plus),主要为智能手机制造芯片,14nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。

三星揭晓11nm新工艺 并确认7nm工艺采用EUV

  接下来,三星还将会增加14LPU、10LPU版本,当然三星还准备有9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺。

  三星表示,2014年以来,已经使用EUV技术处理了接近20万块晶圆,取得了丰硕成果,比如256Mb SRAM的良品率达到了80%。而且,明年上半年三星8LPP工艺特定层将首先使用EUV极紫外光刻。

作者:August责任编辑:熊嫒)
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