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台积电7nm改进版工艺预计年底前试产 首次采用EUV极紫外光刻

Yesky天极新闻 2018. 04. 03 作者:August 责编:熊嫒
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  【天极网DIY硬件频道】今年年初,台积电创始人张忠谋透露,台积电已拿到了7nm制程工艺100%的市场份额,并预计这将带给台积电全年收入10%的增长。除了将在今年6月量产7nm FinFET芯片外,台积电还计划在今年年底前试产7nm改进版工艺。

台积电7nm改进版工艺预计年底前试产 首次采用EUV极紫外光刻
台积电芯片

  据台湾媒体报道,为了防止三星抢夺苹果A13处理器订单,台积电计划年底前进行7nm改进版产线试产,比之前的计划提前约1个季度。

  具体而言,台积电行7nm改进版有望在下半年建立试产线,年底进行试产、明年正式量产。

  早前台积电联席CEO刘德音曾透露,7nm改进版将首次采用EUV极紫外光刻,晶圆输出率将大幅提升,5nm工艺时才会全面启用EUV极紫外光刻。

台积电7nm改进版工艺预计年底前试产 首次采用EUV极紫外光刻
苹果公司

  值得一提的是,台积电计划6月开始量产7nm FinFET芯片,届时台积电将实现7nm芯片100%的市场份额,而高通、海思和Xillinx都是台积电的大客户,7nm这项工艺的收益将在第二季度开始体现。

作者:August责任编辑:熊嫒)
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