英特尔公布十年工艺路线图：1.4nm于2029年到来

  【天极网DIY硬件频道】据外媒报道，在今年的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，芯片巨头英特尔发布2019年到2029年未来十年制造工艺扩展路线图，包括2029年推出1.4纳米制造工艺。英特尔首次提到1.4纳米工艺，相当于12个硅原子所占的位置，因此也证实英特尔的发展方向。 

  英特尔预计其制造工艺节点技术将保持2年一飞跃的节奏，从2019年的10纳米工艺开始，到2021年转向7纳米EUV(极紫外光刻)，然后在2023年5纳米，2025年3纳米，2027年2纳米，最终到2029年的1.4纳米。

  随着工艺节点的开发，需要不同的团队负责每个节点的工作。英特尔7纳米工艺基于10++版本开发，未来5纳米工艺也会基于7纳米工艺设计。路线图中还可以看到，英特尔5纳米工艺目前处于定义阶段。英特尔的路线图表明，正在开发其10++优化以及7纳米系列工艺。英特尔希望从每一代+制程工艺，让前缀的数字代表完整节点优势，每次+/++的迭代将会在需要时，被移植到未来的设计中。

  值得注意的是，英特尔还在今年的IEDM大会的部分演讲中提及0.3纳米工艺尺寸的新技术，使用英特尔自家的“2D自组装”材料。虽然不是第一次听到0.3纳米工艺，但硅芯片制造领域却是首次提及，英特尔及其合作伙伴依然需要克服众多问题。

  技术迭代和

  英特尔未来会在两代工艺节点之间引入+和++迭代版本，以便从每个节点中尽可能多提取、优化性能。唯一例外的是10纳米工艺已处于10+版本阶段，英特尔还将在2020年和2021年分别推出10++和10+++两个版本。英特尔相信，他们可以每年都做到这一点，但也要有重叠的团队，以确保一个完整的工艺节点可以与另一个重叠。

  尽管英特尔表示，他们正在将芯片设计从工艺节点技术中分离出来;但在某些时候，为了开始在硅中布局，工艺节点过程是锁定的，特别是当它进入掩码创建时，因此在具体实施上并不容易。

  反向移植

  英特尔路线图还提到“反向移植”(back porting)，是芯片设计时就要考虑到的工艺节点能力。这并不是英特尔第一次提到“反向移植”硬件设计，由于英特尔10纳米工艺技术目前处于延迟阶段，有广泛的传闻称，英特尔未来的某些CPU微体系结构设计，最终可能会使用非常成功的14纳米工艺。

  路线图显示，英特尔将允许存在这样一种工作流程，即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本、3纳米反向移植到5++、2纳米反向移植到3++上。英特尔路线图对日期的限定并不算严格，英特尔的10纳米技术需要很长时间才成熟。因此期望英特尔在两年的时间里，以一年速度进行技术节点更新并不乐观。