公众号Intel的工艺 凸显了世界第一芯片巨头的强悍
2014-08-25 09:00:00
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【天极网DIY硬件频道】对于Intel 14nm工艺的过人之处，广大用户都有一定的了解，Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管，14nm上将进化到第二代，其他厂商则会陆续上马类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。在此之前对于Intel工艺我们只是单一的介绍过，没有和其他厂商其他的工艺进行对比过，下面我们就来看看几个工艺的间距数据。
Intel 14nm的栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22%、35%，相比之下，台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，对于台电只相当于Intel 20nmde 水平，而三星工艺栅极间距也略弱一些，但64nm的内部互联最小间距，相比于Intel大了23%。
通过对比其他厂商的工艺我们可以看的出来，Intel工艺的强悍，越小的间距，就可以把晶体管做得更小、更密，这对于电路集成度和芯片性能具有非常的重要性。
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