英特尔预告万亿晶体管芯片：RibbonFET将取代FinFET

  【天极网DIY硬件频道】从英特尔创始人戈登·摩尔提出开始，摩尔定律在过去的50多年里一直指导着半导体行业的发展。不过随着半导体开始进入物理极限，摩尔定律在最近几年开始动摇，甚至让不少人认为摩尔定律已死。作为摩尔定律的铁杆捍卫者，Intel表示摩尔定律没死，并预计芯片晶体管数量将于2030年提升到1万亿晶体管。 

  Hotchips 2022会议上，英特尔CEO基辛格在主题演讲中提到，先进封装技术将推动摩尔定律发展，发展出System on Package(简称SOP)，制造厂不再生产单一制造工艺、单一功能的芯片，而是与SoC(System of Chip)相似的系统级封装，提供包括晶圆生产、先进封装及整合在一起的系统级服务。

  根据基辛格的描述，目前晶体管数量最多的芯片大概内建约1000亿个晶体管，未来通过SOP技术，可以在2030年实现1万亿晶体管的系统级封装。只是要实现1万亿晶体管，除了以来先进封装技术外，新的制造技术同样重要。考虑到FinFET晶体管技术已经达到极限，英特尔将会在2024年量产的20A(2nm)工艺上放弃FinFET技术，转向RibbonFET及PowerVIA等下一代技术。 

  根据英特尔的说法，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，成为公司自2011年推出FinFET后，首个全新晶体管架构。RibbonFET技术加快晶体管开关速度，并实现与多鳍结构相同的驱动电流，同时降低空间的占用。PowerVia是Intel独有的技术，也是业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。 

  编辑点评：从现阶段来看，三星是最快转向GAA工艺的半导体制造商，官方也在6月宣布采用GAA技术的3nm工艺进入量产，只是目前尚未清楚有哪些客户使用。至于台积电方面，官方似乎放弃第一代采用采用FinFEt工艺的3nm;GAA技术的产品似乎要等到2nm产品才会使用，只是2nm需要等2025年。英特尔方面的进度比台积电快一些，他们计划在2024年推出相关产品。

  当然了，随着半导体微缩进入瓶颈，未来的芯片性能提升更多需要大量“堆砌”晶体管实现，发热、功耗也随之变高。就算在众多新技术的加持下，1万亿晶体管芯片的功耗只会更高，相信多数消费级用户难以承受。